据多家中国台湾地区媒体报道,紫光集团在启动建立研发中心、重庆建设12寸DRAM晶圆厂之机,再度启动挖角计划,针对日本、韩国、中国台湾下重手挖人才,力度不下于4年前紫光宣布投资NAND Flash之时。中国台湾地区半导体产业界将严阵以待。


    据了解,现任紫光DRAM事业群CEO的高启全,即是紫光集团从台湾延揽,号称“中国台湾DRAM教父”。


    日前高启全返回中国台湾过中秋节,接受中国台湾地区媒体采访时吐露紫光集团“阳谋”:人才是最大的挑战。紫光集团正在建立研发团队,希望五到十年能看到研发成果。中国台湾地区媒体调查了高启全的行程,发现他奔走于日本、韩国、中国台湾各地,推测其正在网罗人才。


    高启全透露:紫光集团决定自主研发DRAM,且大基金和重庆产业基金都会投资,初期研发中心将设在武汉,等到研发有了成果才会在重庆设厂生产。


    紫光集团将复制当年自主研发NAND Flash的模式,只不过投资DRAM,面临三星,SK海力士、美光三大巨头的夹击,因而技术自主需要投入更多的人力和时间。


    中国台湾地区产业界预计,紫光集团旗下IC设计公司紫光国微具备DRAM相关产品的研发实力,但制程开发没有合作对象。如果自主研发,要达到一定的经济规模,至少需要三到五年时间。


    此前,福建晋华与台湾联电合作的DRAM晶圆厂遭到美光起诉侵权,导致联电解散近400人的研发团队。这里的人才也将是紫光集团关注的对象。中国台湾地区媒体预计,紫光集团开出的薪酬条件将数倍于中国台湾地区DRAM厂商。


    此前在8月底,紫光集团就宣布跟重庆市政府签署投资协议,在重庆建设DRAM事业群总部及内存芯片工厂,预计今年底动工,并规划2021年正式量产内存。


    换句话说,尽管存储器是我国集成电路产业的“短板”,但现在国家正坚持大力推进这一重点领域。


    对于紫光集团积极冲刺DRAM自主研发,也有消息人士透露,紫光集团内部已计划将在未来十年内投资8000亿元人民币,以加快DRAM量产。